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三星拟投150亿美元新建半导体研发中心，李在镕出席奠基仪式

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简介周五表示，其在韩国的一个新的半导体研发中心破土动工，计划到2028年向该中心投资约20万亿韩元150亿美元），以加强其芯片技术领先地位。这家全球最大的存储芯片制造商和第二大芯片代工商表示，位于首尔南部 ...

周五表示，星拟新建心李席奠其在韩国的投亿体研一个新的半导体研发中心破土动工，计划到2028年向该中心投资约20万亿韩元（150亿美元），美元以加强其芯片技术领先地位。半导

这家全球最大的发中存储芯片制造商和第二大芯片代工商表示，位于首尔南部器兴（Giheung）的镕出新研发中心将领导下一代存储和系统芯片设备和流程的先进研究，以及基于长期路线图的基仪新技术开发。

该公司在一份声明中表示：“三星电子正在寻求克服半导体规模的星拟新建心李席奠限制。”

刚刚获得赦免的投亿体研三星电子副会长李在镕和高层管理人员出席了动工仪式。李在镕在当天的美元仪式上表示：“我们需要延续我们先发制人地投资、重视技术的半导传统。”

李在镕随后会见了芯片业务的发中员工，并单独会见了高管，镕出讨论了如何确保获得扩大半导体领导地位的基仪技术。

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