滥设障碍！美国宣布升级超宽禁带半导体材料等技术出口限制

财联社8月12日讯（编辑 史正丞）当地时间周五，滥设料美国商务部工业与安全局（BIS）在联邦公报上披露了一项出口限制加码的障碍临时最终决定，涉及先进半导体、美国涡轮发动机等领域。宣布限制

（来源：联邦公报）

根据公报，升级工业与安全局决定对《商务部管制清单》（CCL）和《出口管理条例》（EAR）同步实施修订，超宽出口对四项技术实施管制。禁带技术

美国商务部主管工业与安全的半导副部长Alan Estevez介绍称，使半导体和发动机等技术能够更快、体材更高效、滥设料更长时间，障碍以及在更恶劣条件下运行的美国科技进步，可能会在商业和军事环境中“改变游戏规则”。宣布限制

据悉，升级此次被升级出口管制的超宽出口技术包括：

宽禁带半导体材料氧化镓（Ga2O3）和金刚石：氮化镓和碳化硅是生产复杂的微波、毫米波设备，或大功率半导体器件的主要材料。而氧化镓和金刚石有潜力能制造出更加复杂的设备，同时能耐受更高的电压或温度。

开发GAAFET（全栅场效应晶体管）结构集成电路的ECAD软件：电子计算机辅助软件（EDA/ECAD），用于设计、分析、优化和验证集成电路或印刷电路板的性能。作为FinFET的继任者，GAAFET（全栅场效应晶体管）被视为量产3nm及以下工艺制程的关键技术。BIS也在征求公众意见，以决定哪些ECAD的具体功能特别适用于设计GAAFET电路，以确保美国政府能够有效实施这项管制。

压力增益燃烧技术（PGC）：这项技术有潜力能提高燃气涡轮发动机10%以上效率，潜在影响航空航天、火箭和超高音速导弹系统。PGC技术利用多种物理现象，包括共振脉冲燃烧、定容燃烧和爆震，导致穿过燃烧器的有效压力上升，而消耗的燃烧量相同。BIS目前无法确认任何正在生产中的引擎使用了这项技术，但目前已经有大量研究指向潜在生产。