三星宣布量产第8代V-NAND闪存，PCIe 5.0 SSD速度可超12GBps

虽然还没有发布任何实际产品，星宣但三星电子现宣布已经开始大规模生产其 236 层 3D NAND 闪存芯片，布量该公司将其命名为第 8 代 V-NAND。产第超

新一代存储芯片可带来 2400MTps 的代V度传输速度，当搭配高端主控使用时，闪存D速它可使得消费级 SSD 的星宣传输速度轻松超过 12GBps。

据介绍，布量第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb （128GB） 的产第超方案，三星电子没有公开 IC 的代V度大小和实际密度，不过他们称之为业界最高的闪存D速比特密度。

三星声称，星宣与现有相同容量的布量闪存芯片相比，其新一代 3D NAND 闪存可提高提高 20% 的产第超单晶生产率，从而进一步降低了成本（在良率相同的代V度情况下），这可能意味着大家有望买到同容量更便宜的闪存D速固态硬盘。

该公司没有透露新品架构，但根据提供的图像，我们可以假设这是一种双平面 3D NAND 芯片。

三星电子闪存产品与技术执行副总裁 SungHoi Hur 表示：“由于市场对更密集、更大容量存储的需求推动了更高的 V-NAND 层数，三星采用了先进的 3D 压缩技术，以减少表面积和高度，同时避免通常在压缩时出现的单元间干扰。”“我们第 8 代 V-NAND 将有助于满足快速增长的市场需求，并使我们更好地提供更多差异化的产品和解决方案，这将是未来存储创新的基础。”

今年年年，三星推出了其第八代和第九代 V-NAND 产品以及第五代 DRAM 产品。在此之前，该公司目前为 V-NAND 提供 512 Gb 三级单元 （TLC） 产品。

此外，第五代 DRAM 产品将是 10nm （1b） 器件，将于 2023 年进入量产阶段。IT之家了解到，三星即将推出的其它 DRAM 解决方案还包括 32 Gb DDR5 解决方案、8.5 Gbps LPDDR5X DRAM 和 36 Gbps GDDR7 DRAM。

三星对其 V-NAND 声称，到 2030 年，它将打造出 1000 层的 V-NAND。为了实现这一目标，三星正在从其当前的 TLC 架构过渡到四级单元 （QLC） 架构，以提高密度并启用更多层。

三星还将在 DRAM 研发上投入更多资源，研究新的架构和材料，例如 High-K，以帮助将 DRAM 扩展到 10nm 以上。该公司打算进一步开发其它 DRAM 解决方案，例如内存处理 （PIM）。